UMN11NFHTR

更新时间： 2024-10-14 13:00:39

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罗姆 - ROHM		整流二极管开关测试光电二极管
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UMN11NFHTR 数据手册

UMN11N

Diodes

Switching diode

UMN11N

zApplication

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Ultra high speed switching

0.65 0.65

2.0±0.2

0.1

0.05

各リードとも

Each lead has same dimension

同寸法

0.25±

0.15±0.05

zFeatures

1) Small mold type. (UMD6)

2) High reliability

(6)

(5)

(4)

0.35

0～0.1

UMD6

zConstruction

(1)

0.65

(2)

(3)

Silicon epitaxial planar

zStructure

0.65

0.7

1.3±0.1

0.9±0.1

ROHM : UMD6

JEDEC : SOT-363

JEITA : SC-88

dot (year week factory)

zTaping specifications (Unit : mm)

φ1.5±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

2.0±0.05

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.1±0.1

4.0±0.1

2.2±0.1

1.15±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Forward current (Single)

Average rectified forward current (Single)

Surge current （t=1us）

Power dissipation

Junction temperature

I_FM

300

100

150

℃

I_surge

150

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

℃

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.2

0.1

3.5

Unit

Conditions

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=100mA

Reverse current

V_R=70V

µA

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

V_R=6V , f=1MHz

V_R=6V , IF=5mA , RL=50Ω

trr

Rev.B

1/2

12 3

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