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UL62H256ASA55

更新时间： 2024-11-13 03:23:39

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ZMD		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	162K
描述
Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM

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UL62H256ASA55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.38	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	17.9 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

UL62H256ASA55 数据手册

UL62H256A

Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM

Features

Description

! 32768 x 8 bit static CMOS RAM

! 35 and 55 ns Access Time

! Common data inputs and

data outputs

The UL62H256A is a static RAM

go High-Z until the new information

is available. The data outputs have

no preferred state. The Read cycle

is finished by the falling edge of W,

or by the rising edge of E, respec-

tively.

manufactured using a CMOS pro-

cess technology with the following

operating modes:

! Three-state outputs

! Typ. operating supply current

35 ns: 45 mA

- Read

- Write

- Standby

- Data Retention

The memory array is based on a

6-Transistor cell.

Data retention is guaranteed down

to 2 V. With the exception of E, all

inputs consist of NOR gates, so

that no pull-up/pull-down resistors

are required.

55 ns: 30 mA

! Standby current < 40 µA at 125 °C The circuit is activated by the fal-

! TTL/CMOS-compatible

! Power supply voltage 2.5 - 3.6 V

! Operating temperature range

-40 °C to 85 °C

ling edge of E. The address and

control inputs open simultaneously.

According to the information of W

and G, the data inputs, or outputs,

are active. In a Read cycle, the

data outputs are activated by the

falling edge of G, afterwards the

data word will be available at the

outputs DQ0-DQ7. After the

address change, the data outputs

-40 °C to 125 °C

! QS 9000 Quality Standard

! ESD protection > 2000 V

(MIL STD 883C M3015.7)

! Latch-up immunity >100 mA

! Package: SOP28 (300/330 mil)

Pin Configuration

Pin Description

VCC

A14

A12

A13

Signal Name Signal Description

A0 - A14

DQ0 - DQ7

Address Inputs

Data In/Out

A11

Chip Enable

Output Enable

Write Enable

SOP

A10

DQ7

Power Supply

VCC

VSS

Voltage

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

Ground

Top View

May 07, 2004

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UL62H256ASK35	ZMD	获取价格	Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM
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UL62H256ASK35G1	ZMD	获取价格	Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM
UL62H256ASK55	ZMD	获取价格	Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM
UL62H256ASK55G1	ZMD	获取价格	Low Voltage Automotive Fast 32K x 8 SRAM
UL62H256BS1A35	SIMTEK	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
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