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UFZT1149A

更新时间： 2024-01-04 15:02:56

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	92K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT1149A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	115
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	135 MHz
Base Number Matches：	1

UFZT1149A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 - JANUARY 1997

FZT1149A

FEATURES

V_CEO= -25V

4 Amp Continuous Current

10 Amp Pulse Current

Low Saturation voltage

High Gain

SOT223

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-30

-25

-5

-10

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-4

I_B

-500

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C †

P_tot

2.5

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

† The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 2 inches x 2 inches

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