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UFZT600 PDF预览

UFZT600

更新时间： 2024-09-26 19:49:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT600 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.33外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

UFZT600 数据手册

 浏览型号UFZT600的Datasheet PDF文件第2页 
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER DARLINGTON TRANSISTOR  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1997  
FZT600  
FEATURES  
*
*
*
2A continuous current  
140 VOLT VCEO  
C
Guaranteed hFE Specified up to 1A  
E
PART MARKING DETAIL –  
FZT600  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
160  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
ICM  
140  
V
10  
V
Peak Pulse Current  
4
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
IC  
2
2
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
MIN. TYP.  
160  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
140  
10  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off Current  
0.01  
10  
V
CB=140V  
µA  
µA  
VCB=140V, Tamb=100°C  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
ICES  
10  
VCES=140V  
VEB=8V  
µA  
µA  
IEBO  
0.1  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.75  
0.85  
1.1  
1.2  
V
V
IC=0.5A, IB=5mA*  
IC=1A, IB=10mA*  
Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat)  
Base-Emitter Turn-On Voltage VBE(on)  
1.7  
1.5  
1.9  
1.7  
V
V
IC=1A, IB=10mA*  
IC=1A, VCE=5V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
1k  
2k  
1k  
IC=50mA, VCE=10V*  
IC=0.5A, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
100k  
100k  
5k  
10k  
5k  
10k  
20k  
10k  
IC=50mA, VCE=10V*  
IC=0.5mA, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
GROUP B  
Transition Frequency  
fT  
150  
250  
MHz  
IC=100mA, VCE=10V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
Ton  
10  
15  
MHz  
µs  
VCB=10V, f=1MHz  
0.75  
2.20  
IC=0.5A, VCE=10V  
IB1=IB2=0.5mA  
Toff  
µs  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 197  
12

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