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UFZT593 PDF预览

UFZT593

更新时间： 2024-09-26 21:10:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 40K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UFZT593 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-223, 4 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

UFZT593 数据手册

  
SOT223 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FZT593  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
✪
C
COMPLEMENTARY TO FZT493  
PARTMARKING DETAIL - FZT593  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-120  
V
V
-100  
-5  
V
Peak Pulse Current  
-2  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
-1  
-200  
A
IB  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
2
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Breakdown Voltages  
-120  
-100  
-5  
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
VCB=-100V  
VEB=-4V  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
V
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
Saturation Voltages  
-100 nA  
-100 nA  
-100 nA  
IEBO  
ICES  
VCES=-100V  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.3  
V
V
IC=-250mA,IB=-25mA*  
IC=-500mA IB=-50mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-1.1  
-1.0  
V
V
IC=-500mA,IB=-50mA*  
IC=-1mA, VCE=-5V*  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
Static Forward Current Transfer  
Ratio  
100  
100  
IC=-1mA, VCE=-5V  
IC=-250mA,VCE=-5V*  
IC=-500mA, VCE=-5V*  
IC=-1A, VCE=-5V*  
100 300  
50  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
50  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
5
pF  
VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT593 datasheet  
3 - 196  
1

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