5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > UFZT491
UFZT491 PDF预览

UFZT491

更新时间： 2024-11-18 15:55:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

UFZT491 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.33Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

UFZT491 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
FZT491  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
✪
C
E
COMPLEMENTARY TYPE –  
PARTMARKING DETAIL –  
FZT591  
FZT491  
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Emitter Voltage  
60  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
1
A
IB  
200  
2
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
Ptot  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
80  
60  
5
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
VCB=60V  
V
V
Collector Cut-Off  
Current  
100  
nA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
100  
100  
nA  
nA  
VEB=4V  
Collector-Emitter Cut-Off ICES  
Current  
VCES=60V  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.25  
0.5  
V
V
IC=500mA, IB =50mA*  
IC=1A, IB =100mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.1  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
1.0  
V
IC =1A, VCE =5V*  
Static Forward Current  
100  
100  
80  
IC=1mA, VCE =5V  
IC =500mA, VCE =5V*  
IC =1A, VCE =5V*  
IC = 2A, VCE =5V*  
300  
10  
30  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V,  
f =100MHz  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs.  
For typical characteristics graphs see FMMT491 datasheet  
3 - 189  
1

中文翻译

下载PDF

与UFZT491相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UFZT491TA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TC DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT493 DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UFZT493 ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UFZT493TA ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UFZT493TC ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UFZT549 ZETEX

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT549TA DIODES

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

与UFZT491相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证