Datasheet > UFZT1151A

UFZT1151A

更新时间： 2024-02-04 10:56:10

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	96K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UFZT1151A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.42
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	145 MHz

UFZT1151A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 - JANUARY 1997

FZT1151A

FEATURES

V_CEO= -40V

3 Amp Continuous Current

5 Amp Pulse Current

Low saturation Voltage

High Gain

SOT223

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-45

-40

-5

-3

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

I_B

-500

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

†

P_tot

2.5

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

† The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on

a P.C.B. with copper equal to 2 inches x 2 inches

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与UFZT1151A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UFZT458	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
UFZT458TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
UFZT491	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TA	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT491TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
UFZT493	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
UFZT493	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,