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UBCP56-16

更新时间： 2024-09-16 21:15:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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UBCP56-16 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-223包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

UBCP56-16 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BCP56  
ISSUE 3 – AUGUST 1995  
✪
FEATURES  
*
*
Suitable for AF drivers and output stages  
High collector current and Low VCE(sat)  
C
COMPLEMENTARY TYPE – BCP53  
E
C
PARTMARKING DETAILS – BCP56  
BCP56 – 10  
B
BCP56 – 16  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
100  
80  
5
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Current  
1.5  
1
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
A
Ptot  
2
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 100  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=100µA  
IC= 10mA *  
IE=10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
80  
5
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
100  
20  
nA  
µA  
VCB=30V  
VCB=30V, Tamb=150°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
10  
VEB=5V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.5  
V
IC=500mA, IB=50mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
1.0  
V
IC=500mA, VCE=2V*  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
40  
25  
250  
IC=150mA, VCE=2V*  
IC=500mA, VCE=2V*  
IC=150mA, VCE=2V*  
IC=150mA, VCE=2V*  
BCP56-10 63  
BCP56-16 100  
100  
160  
160  
250  
Transition Frequency  
fT  
125  
MHz  
IC=50mA, VCE=10V,  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
3 - 18  
1

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