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UBCX19R

更新时间： 2024-11-18 15:55:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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UBCX19R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.38
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC50002-236表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

UBCX19R 数据手册

  
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
BCX19  
PARTMARKING DETAILS –  
BCX19 -  
BCX19R -  
U1  
U4  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES - BCX17  
B
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCES  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
45  
V
V
5
V
Peak Pulse Current  
1000  
500  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
IB  
100  
Peak Base Current  
IBM  
200  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
PTOT  
Tj:Tstg  
330  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Cut-Off  
Current  
ICBO  
100  
200  
nA  
µA  
VCB =20V  
CB =20V, Tj=150°C  
V
Emitter-Base Cut-Off  
Current  
IEBO  
10  
µA  
VEB =5V  
Base-Emitter Voltage  
VBE  
1.2  
V
IC =500mA, VCE =1V*  
IC =500mA, IB =50mA*  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
620  
mV  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
hFE  
100  
70  
40  
600  
IC =100mA, VCE =1V  
I
C =300mA, VCE =1V*  
IC =500mA, VCE =1V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
200  
5.0  
MHz IC =10mA, VCE =5V  
f =35MHz  
Cobo  
pF  
VCB =10V, f =1MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
TBA  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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