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U62256AS2K10LL

更新时间： 2024-09-15 05:54:55
品牌 Logo 应用领域
ZMD 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 164K
描述
STANDARD 32K X 8 SRAM

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U62256AS2K10LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP28,.5
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.19最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.1 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.5
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.54 mm最大待机电流：0.000006 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.065 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8.75 mmBase Number Matches：1

U62256AS2K10LL 数据手册

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U62256A  
Standard 32K x 8 SRAM  
Description  
Features  
falling edge of W, or by the rising  
edge of E, respectively.  
! 32768x8 bit static CMOS RAM  
! Access times 70 ns, 100 ns  
! Common data inputs and  
data outputs  
The U62256A is a static RAM  
manufactured using a CMOS pro-  
cess technology with the following  
operating modes:  
Data retention is guaranteed down  
to 2 V. With the exception of E, all  
inputs consist of NOR gates, so  
that no pull-up/pull-down resistors  
are required.  
! Three-state outputs  
- Read  
- Write  
- Standby  
! Typ. operating supply current  
70 ns: 50 mA  
- Data Retention  
The memory array is based on a  
6-transistor cell.  
100 ns: 40 mA  
! TTL/CMOS-compatible  
! Automatical reduction of power  
dissipation in long Read Cycles  
The circuit is activated by the fal-  
ling edge of E. The address and  
control inputs open simultaneously.  
According to the information of W  
and G, the data inputs, or outputs,  
are active. In a Read cycle, the  
data outputs are activated by the  
falling edge of G, afterwards the  
data word read will be available at  
the outputs DQ0-DQ7. After the  
address change, the data outputs  
go High-Z until the new information  
read is available. The data outputs  
have not preferred state.  
+
! Power supply voltage 5 V 10 %  
! Operating temperature ranges  
0 to 70 °C  
-40 to 85 °C  
-40 to 125 °C  
! QS 9000 Quality Standard  
! ESD protection > 2000 V  
(MIL STD 883C M3015.7)  
! Latch-up immunity >100 mA  
! Packages: PDIP28 (600 mil)  
SOP28 (330 mil)  
The Read cycle is finished by the  
Pin Configuration  
Pin Description  
1
2
3
4
5
6
7
8
VCC  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
W
A13  
A8  
A9  
A11  
Signal Name Signal Description  
A0 - A14  
DQ0 - DQ7  
Address Inputs  
Data In/Out  
G
A10  
Chip Enable  
PDIP  
SOP  
E
Output Enable  
Write Enable  
Power Supply Voltage  
Ground  
G
W
VCC  
VSS  
9
E
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
Top View  
April 20, 2004  
1
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与U62256AS2K10LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U62256AS2K10LLG1 ZMD

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 		STANDARD 32K X 8 SRAM
U62256ASC07LL CYPRESS

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 		Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
U62256ASC07LLG1 CYPRESS

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 		Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
U62256ASC10LL CYPRESS

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 		32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
U62256ASC10LLG1 CYPRESS

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 		32KX8 STANDARD SRAM, 100ns, PDSO28, 0.330 INCH, SOP-28
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