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U1B4B42TE24R

更新时间: 2024-01-15 20:07:50
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

U1B4B42TE24R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流:33 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.00001 µA表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

U1B4B42TE24R 数据手册

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