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U1B-M3/5AT

更新时间： 2024-02-09 03:39:17

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威世 - VISHAY		瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal Diode

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U1B-M3/5AT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AC
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.024 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

U1B-M3/5AT 数据手册

U1B-M3, U1C-M3, U1D-M3

www.vishay.com

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier

FEATURES

• Oxide planar chip junction

• Ultrafast recovery time

• Low forward voltage, low power losses

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

260 °C

DO-214AC (SMA)

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency rectifier of switching

power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or

polarity protection application.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

1.0 A

V_RRM

100 V, 150 V, 200 V

MECHANICAL DATA

I_FSM

t_rr

30 A

15 ns

0.76 V

Case: DO-214AC (SMA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_Fat I_F= 1.0 A

commercial grade

T_Jmax.

Package

150 °C

DO-214AC (SMA)

Single die

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Diode variations

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

U1B

100

U1C

150

1.0

U1D

200

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Revision: 30-Aug-13

Document Number: 89400

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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