U1DL49

更新时间： 2024-02-28 00:34:48

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东芝 - TOSHIBA		整流二极管功效
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描述
TOSHIBA HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (HED) SILICON EPITAXIAL JUNCTION TYPE

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U1DL49 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.06 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

U1DL49 数据手册

U1DL49

TOSHIBA HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (HED) SILICON EPITAXIAL JUNCTION TYPE

U1DL49

SWITCHING MODE POWER SUPPLY APPLICATIONS

Unit: mm

l Repetitive Peak Reverse Voltage : V

= 200V

= 1.0A

RRM

l Average Forward Current

: I

F (AV)

l Very Fast Reverse−Recovery Time: t = 60ns (Max)

l Low Forward Voltage

: V = 0.98V (Max)

l Available to Reduce Switching Losses and Output Noise

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

UNIT

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

200

1.0

RRM

F (AV)

15 (50Hz)

16.5 (60Hz)

−40~150

Peak One Cycle Surge Forward

FSM

Current (Non−Repetitive)

Junction Temperature

°C

Storage Temperature Range

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

Weight: 0.05g

3−5E1A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

Peak Forward Voltage

Repetitive Peak Reverse Current

SYMBOL

TEST CONDITION

= 1.0A

MIN

TYP.

MAX

UNIT

―

0.98

µA

= 200V

RRM

Reverse Recovery Time

Forward Recovery Time

Thermal Resistance

(Note 1)

(Note 2)

= 1A, di / dt = −20A / µs

= 1.0A

100

125

Junction to Ambient

°C / W

th (j−a)

Note 1: t TEST CIRCUIT

Note 2: t TEST CIRCUIT

MARKING

WAVEFORM

CODE

TYPE

U1DL49

2001-07-11

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U1DL49TE12L	TOSHIBA	获取价格	DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
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