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U1DL49TE12R

更新时间: 2024-02-07 18:46:25
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

U1DL49TE12R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.06 µs表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

U1DL49TE12R 数据手册

 浏览型号U1DL49TE12R的Datasheet PDF文件第2页 

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