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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | 栅 | |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 |
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TTD120N02GT | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD120N03AT | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD120N04AT | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD130N02GT | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD135N68A | WUXI UNIGROUP | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD1409B | TOSHIBA | NPN Bipolar Transistor, 400 V, 6 A, TO-220SIS |
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