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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 715K | |
描述 | ||
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TTD30P03AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD35N02AV | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD3BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 3FT | |
TTD3BL | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 3FT | |
TTD3GN | SWITCH |
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Interconnection Device, | |
TTD3O | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND ORANGE 3FT | |
TTD3Y | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND YELLOW 3FT | |
TTD40P03AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD4BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 4FT | |
TTD4BL | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 4FT |