5秒后页面跳转
TTD30N10AT PDF预览

TTD30N10AT

更新时间: 2024-11-21 17:01:59
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
7页 715K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTD30N10AT 数据手册

 浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TTD30N10AT的Datasheet PDF文件第7页 
TTD30N10AT  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
100V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)  
General Description  
Product Summary  
Trench Power technology  
Low RDS(ON)  
VDS  
100V  
ID (at VGS =10V)  
30A  
Low Gate Charge  
RDS(ON) (at VGS =10V)  
RDS(ON) (at VGS =4.5V)  
< 27mΩ  
< 29mΩ  
Optimized for fast-switching applications  
Applications  
100% UIS Tested  
Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
TO-252  
Part Number  
Package Type  
Form  
Marking  
TTD30N10AT  
TO-252  
Tape &Reel  
30N10AT  
Absolute Maximum Ratings (TA =25ºC, unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
100  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
TC =25ºC  
30  
20  
B
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC =100ºC  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IAS  
120  
23  
A
A
A
Avalanche Current  
A
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.3mH  
TC =25ºC  
EAS  
80  
mJ  
W
W
ºC  
75  
C
Power Dissipation  
PD  
TC =100ºC  
37.5  
Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
Symbol  
RƟJC  
Maximum  
Units  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
2
ºC /W  
Maximum Junction-to-Ambient  
RƟJA  
100  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
1

与TTD30N10AT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TTD30P03AT WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTD35N02AV WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTD3BK ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 3FT
TTD3BL ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 3FT
TTD3GN SWITCH

获取价格

Interconnection Device,
TTD3O ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND ORANGE 3FT
TTD3Y ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND YELLOW 3FT
TTD40P03AT WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTD4BK ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 4FT
TTD4BL ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 4FT