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TTD1509B

更新时间： 2024-11-21 14:57:43

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
7页	275K
描述
NPN Bipolar Transistor, 80 V, 2 A, TO-126N

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TTD1509B 数据手册

TTD1509B

Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Transistor)

TTD1509B

1. Applications

•

Micromotor Drivers

Hammer Drivers

Switching

Power Amplifiers

2. Features

(1) High DC current gain

: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage : VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)

(3) Complementary to TTB1067B

3. Packaging and Internal Circuit (Note)

1. Emitter

2. Collector

3. Base

TO-126N

Note: Although this device is encapsulated in epoxy resin, it does not provide any guarantee to the maximum isolation

voltage. Therefore, as with the case with non-isolated devices, care should be taken with regard to electrical

isolation from surrounding parts.

Start of commercial production

2013-08

2016-09-30

Rev.2.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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