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TTD118N08A

更新时间： 2024-04-09 19:00:24

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	566K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTD118N08A 数据手册

TTD118N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

Electrical Characteristics(T_J=25ºC unless otherwise noted)

Value

Typ

Symbol

Parameter

Conditions

Units

Min

Max

STATIC PARAMETERS

BV_DSSDrain-Source Breakdown Voltage

I_D=250µA,V_GS=0V

V_DS=82V, V_GS=0V

T_J=25ºC

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

μA

T_J=125ºC

100

I_GSS

Gate-Body Leakage Current

Gate Threshold Voltage

V_DS=0V, V_GS=±20V

V_DS=V_GS, I_D=250µA

V_GS=10V, I_D=30A

V_DS=5V, I_D=20A

±100

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_FS

Static Drain-Source On-Resistance

Forward Transconductance

Diode Forward Voltage

mΩ

V_SD

I_S=30A, V_GS=0V

I_S

Maximum Body-Diode Continuous Current

105

DYNAMIC PARAMETERS

C_iss

C_oss

C_rss

R_g

Input Capacitance

6710

328

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Gate Resistance

V_GS=0V, V_DS=40V, f =1MH_Z

320

f =1MH_Z

1.46

Ω

SWITCHING PARAMETERS

Q_g

Q_gs

Q_gd

t_D(on)

t_r

Total Gate Charge

123

Gate Source Charge

V_GS=10V,V_DS=40V, I_D=20A

Gate Drain Charge

Turn-On Delay Time

Turn-On Rise Time

V_GS=10V,V_DS=40V, I_D=20A,

R_G=2.5Ω

T_D(off)

t_f

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

t_rr

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

I_F=20A, di/dt =100A/μs

Q_rr

A. Single pulse width limited by maximum junction temperature.

B. The maximum current rating is package limited.

C. The power dissipation P_Dis based on T_J(MAX)=175ºC , using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting

the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

123 4 5 6 7 8

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