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TTD160N03GT

更新时间: 2024-11-21 17:00:47
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
7页 624K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTD160N03GT 数据手册

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TTD160N03GT  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)  
General Description  
Product Summary  
Trench Power technology  
Low RDS(ON)  
VDS  
30V  
ID (at VGS =10V)  
160A  
Low Gate Charge  
RDS(ON) (at VGS =10V)  
RDS(ON) (at VGS =4.5V)  
< 2.2mΩ  
< 3mΩ  
Optimized for fast-switching applications  
Applications  
100% UIS Tested  
Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
TO-252  
Part Number  
Package Type  
Form  
Marking  
TTD160N03GT  
TO-252  
Tape&Reel  
160N03GT  
Absolute Maximum Ratings (TA =25ºC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
TC =25ºC  
46  
46  
B
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC =100ºC  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IAS  
480  
43  
A
A
A
Avalanche Current  
A
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.3mH  
TC =25ºC  
EAS  
277  
mJ  
W
W
ºC  
143  
C
Power Dissipation  
PD  
TC =100ºC  
71  
Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
Symbol  
RƟJC  
Maximum  
1.1  
Units  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
ºC /W  
Maximum Junction-to-Ambient  
RƟJA  
100  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
1

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