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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 624K | |
描述 | ||
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 |
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TTD180N02GT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD1BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 1FT | |
TTD1GN | SWITCH |
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Interconnection Device, | |
TTD1O | SWITCH |
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Interconnection Device, | |
TTD1Y | SWITCH |
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Interconnection Device, | |
TTD20N04AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD28P10AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T | |
TTD2BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 2FT | |
TTD2BL | SWITCH |
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Interconnection Device, | |
TTD2GN | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND GREEN 2FT |