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TTD1415B

更新时间： 2024-11-21 14:58:15

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
7页	181K
描述
NPN Bipolar Transistor, 100 V, 7 A, TO-220SIS

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TTD1415B 数据手册

TTD1415B

Bipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type

TTD1415B

1. Applications

•

High-Power Switching

•

Hammer Drivers

2. Features

(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A , IB = 6 mA)

(3) Complementary to TTB1020B

3. Packaging and Internal Circuit

1. Base

2. Collector

3. Emitter

TO-220SIS

Start of commercial production

2012-09

2015-08-06

Rev.3.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTD1509B	TOSHIBA	获取价格	NPN Bipolar Transistor, 80 V, 2 A, TO-126N
TTD150N02GT	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
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