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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-220SIS, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTD1410B | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN Bipolar Transistor, 250 V, 6 A, TO-220SIS |
|
| TTD1415B | TOSHIBA |
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NPN Bipolar Transistor, 100 V, 7 A, TO-220SIS |
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| TTD1509B | TOSHIBA |
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NPN Bipolar Transistor, 80 V, 2 A, TO-126N |
|
| TTD150N02GT | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
|
| TTD160N03GT | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
|
| TTD180N02GT | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
|
| TTD1BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 1FT |
|
| TTD1GN | SWITCH |
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Interconnection Device, |
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| TTD1O | SWITCH |
获取价格 |
Interconnection Device, |
|
| TTD1Y | SWITCH |
获取价格 |
Interconnection Device, |
|
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