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TS4148 PDF预览

TS4148

更新时间： 2024-11-24 03:26:23
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TSC 二极管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
0.5AMPS High Speed Switching Diode

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TS4148 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.63Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-R2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.5 W最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

TS4148 数据手册

 浏览型号TS4148的Datasheet PDF文件第2页 
TS4148  
0.5AMPS High Speed SwitchingDiode  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
For surface mounted application  
Item  
1206  
0805  
Low forward voltage drop  
L
0.135(3.40)  
0.119(3.0)  
0.07(1.70)  
0.054(1.30)  
0.038(0.95)  
0.03(0.75)  
0.03(0.75)  
0.014(0.35)  
0.088(2.20)  
0.072(1.8)  
0.058(1.45)  
0.042(1.05)  
0.038(0.95)  
0.03(0.75)  
0.026(0.65)  
0.01(0.25)  
High Current capability  
Fast switching for high efficiency  
High surge current capability  
Chip version in 1206 and 0805  
High temperature soldering:  
W
T
o
C
260 C / 10 secondsat terminals  
Mechanical Data  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Cases: 0805, 1206  
Terminals: Pure tin plated lead free,  
Polarity: indicated by cathode arrow  
Packaging: 8 mm tape per EIA STD  
RS-481  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
o
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol  
Type Number  
0805  
1206  
Units  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
VRRM  
VR  
100  
75  
V
V
Maximum Average Forward Rectified Current  
Resistive Load f>50Hz  
IF(AV)  
IFSM  
VF  
150  
mA  
Peak Forward Surge Current  
Half Sine-wave  
8.3 ms  
1 uS  
500  
2.0  
mA  
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@100mA  
1.0  
25  
V
o
Maximum D.C. Reverse Current @ Tc=25 C  
nA  
VR=20V at Rated DC Blocking Voltage  
IR  
o
50  
uA  
nS  
pF  
@ Tc=125 C VR=20V  
Typical Reverse Recovery Time(Note 2)  
Trr  
5.0  
o
TJ=25 C  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance  
Cj  
RθJA  
RθJC  
PD  
1.65  
190  
80  
1.60  
150  
60  
o
C/W  
Power Dissipation  
500  
mW  
o
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to + 200  
-65 to + 200  
C
o
T
STG  
C
Notes:  
1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Recover to 0.25A.  
Version: B07  
12

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