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TS4148-RXG

更新时间： 2024-01-02 03:36:55
品牌 Logo 应用领域
TSC 二极管开关
页数 文件大小 规格书
3页 205K
描述
500mW High Speed SMD Switching Diode

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TS4148-RXG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, THIN, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.61其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-N2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TS4148-RXG 数据手册

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REAT BY ART  
TS4148 RXG  
Taiwan Semiconductor  
Small Signal Product  
500mW High Speed SMD Switching Diode  
FEATURES  
- Designed for mounting on small surface  
- Extremely thin/leadless package  
- High mounting capability, strong surage with stand,  
high reliability  
- Pb free version and RoHS compliant  
- Halogen free  
MECHANICAL DATA  
- Case：1206 standard package, molded plastic  
- Terminal：Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750, method 2026 guaranteed  
1206  
- High temperature soldering guaranteed : 260oC/10s  
- Polarity：Indicated by cathode band  
- Weight：0.010 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
VALUE  
SYMBOL  
PD  
UNITS  
mW  
V
Power dissipation  
500  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak reverse voltage  
Repetitive peak forward current  
Mean forward current  
VRSM  
VRRM  
IFRM  
100  
75  
V
300  
mA  
mA  
IO  
150  
Non-repetitive peak forward surge current  
Tp = 1sec square waveform  
Tp = 8.3ms single half sine waveform  
IFSM  
0.5  
2.0  
A
Thermal resistance form junction ambient  
Junction and storage temperature range  
(Note 1)  
RθJA  
375  
℃/W  
oC  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
PARAMETER  
Reverse breakdown voltage  
Forward voltage  
MIN  
75  
-
MAX  
-
1
SYMBOL  
V(BR)  
UNITS  
(Note 2)  
IF=100mA  
VR=20V  
V
V
VF  
-
25  
5
nA  
μA  
pF  
ns  
IR  
Reverse leakage current  
VR=75V  
-
VR=0, f=1.0MHz  
(Note 3)  
Junction capacitance  
Reverse recovery time  
CJ  
4.0  
4
Trr  
Note: 1 Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Note: 2 Test Condition：IR=100μA  
Note: 3 Test Condition：IF=10mA, IR=1mA, RL=100Ω  
Document Number：DS_S1311001  
Version：J13  
123

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