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TS4148C

更新时间： 2024-01-10 02:40:13
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3页 199K
描述
TS4148C

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TS4148C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, THIN, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.61其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-N2最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TS4148C 数据手册

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CREAT BY ART  
TS4148C  
Taiwan Semiconductor  
Small Signal Product  
200mW High Speed SMD Switching Diode  
FEATURES  
- Designed for mounting on small surface  
- Extremely thin/leadless package  
- High mounting capability, strong surage with stand,  
high reliability  
- Pb free version and RoHS compliant  
- Halogen free  
MECHANICAL DATA  
- Case : 0603 standard package, molded plastic  
- Terminal : Gold plated, solderable  
per MIL-STD-750, method 2026 guaranteed  
0603  
- High temperature soldering guaranteed : 260oC/10s  
- Polarity : Indicated by cathode band  
- Weight : 0.004 grams (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
200  
UNIT  
mW  
V
PD  
VRRM  
IFRM  
IO  
Power Dissipation  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Forward Current  
Mean Forward Current  
75  
200  
mA  
mA  
100  
at t＜1s and Tj=25oC  
at t≦8.3ms and Tj=25oC  
Non-Repetitive Peak Forward  
Surge Current  
0.4  
IFSM  
A
0.8  
oC/W  
oC  
RθJA  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Junction and Storage Temperature Range  
375  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
75  
UNIT  
IR=100μA  
IF=10mA  
V(BR)  
-
-
-
-
-
-
-
Reverse Breakdown Voltage  
V
1.00  
1.25  
0.025  
5.0  
VF  
IR  
Forward Voltage  
V
IF=100mA  
VR=20V  
Reverse Leakage Current  
μA  
VR=75V  
VR=0V, f=1.0MHz  
IF=IR=10mA, RL=100Ω  
CJ  
Trr  
4
Junction Capacitance  
pF  
ns  
4.0  
Reverse Recovery Time  
Version : C13  
Document Number：DS_S1310004  
123

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