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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波上/下变频器> TRF1221IRGZT
TRF1221IRGZT PDF预览

TRF1221IRGZT

更新时间： 2024-02-10 07:34:17
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器
页数 文件大小 规格书
26页 1237K
描述
1700MHz - 3600MHz RF/MICROWAVE UP CONVERTER, 0dBm OUTPUT POWER-MAX, GREEN, PLASTIC, MO-220, LPCC, QFN-48

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TRF1221IRGZT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：LCC48,.27SQ,20
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.8构造：COMPONENT
最大中频频率：350 MHz最小中频频率：250 MHz
输入功率最小值（CW）：20 dBmJESD-609代码：e3
LO 可调谐：YES安装特点：SURFACE MOUNT
端子数量：48最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出功率：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：LCC48,.27SQ,20
电源：5 VRF输出最大频率：3600 MHz
RF输出频率-最小值：1700 MHz射频/微波设备类型：UP CONVERTER
子类别：RF/Microwave Up/Down Converters表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

TRF1221IRGZT 数据手册

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TRF1121  
TRF1221  
www.ti.com  
SLWS170A–APRIL 2005–REVISED DECEMBER 2005  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)  
VALUE  
0 to 5.5  
270  
UNIT  
VCC  
ICC  
Pin  
DC supply voltage  
V
mA  
dBm  
°C  
DC supply current  
RF input power  
20  
TJ  
Junction temperature  
Power dissipation  
150  
Pdiss  
1.5  
W
Digital input voltage  
–0.3 to VCC+0.3  
VCC  
V
Analog input voltage  
Thermal resistance junction-to-ambien(1)  
Storage temperature  
Operating temperature  
Lead temperature, 40 Sec Max  
V
θJC  
Tstg  
Top  
25  
°C/W  
°C  
–40 to 105  
–40 to 85  
260  
°C  
°C  
(1) Thermal resistance is junction-to-ambient assuming thermal pad with nine thermal vias under package metal base. See the  
recommended PCB layout.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
The characteristics listed in the following tables are at VCC = 5 V, TA = 25°C(unless otherwise noted)  
DC CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
DC supply voltage  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
VCC  
TA = 25°C  
4.8  
5.2  
V
ICC_TxON  
ICC_TxOFF  
TA = 25°C, TXON enabled  
TA = 25°C, TXON disabled  
180  
130  
Supply current  
mA  
UPCONVERTER CHARACTERISTICS  
Input signal 500 mVpp, VCC = 5 V, 25°C, IF1 = 26 MHz, IF2 = 325 MHz unless otherwise stated  
PARAMETER  
Input center frequency  
Output frequency range  
Input signal level  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP  
MAX  
UNIT  
MHz  
MHz  
mV  
FIF1  
FIF2  
VBB  
ZIF1  
See Figure 3  
26  
270  
500  
2
400  
Peak-to-peak differential  
See Application Note TDB  
1000  
Input IF1 differential impedance  
kW  
Measured at IF2 (IF2OP,IF2ON) With 500-mVpp  
differential input to IF1(BBIP,BBIN) and  
GAIN[4:0] = 11111  
Pout  
Output power (maximum gain)  
0
dBm  
dBm  
Measured at IF2 (IF2OP,IF2ON) With 500-mVpp  
differential input to IF1(BBIP,BBIN),  
GAIN[4:0] = 00000  
Output power (minimum gain)  
Gain flatness  
–32  
∆Gmax  
300 MHz < IF2 < 330 MHz  
±0.3  
dB  
dB  
∆PSTEP Gain step size  
OP1dB Output power a 1-dB gain compression GAIN[4:0] = 11111  
0.7  
1
12  
24  
1.3  
dBm  
dBm  
dBc  
OIP3  
IR  
Output third order intercept  
Image rejection  
For any gain setting  
IF1 = 15 to 45 MHz  
–30  
At GAIN[4:0] = 11111 decreases dB for dB as gain  
state is changed  
PLO1  
LO1 leakage  
–36  
dBm  
At max gain (GAIN[4:0]=11111), no worse then  
1-dB degradation per 1 dB of attenuation  
NF  
Input noise figure  
27  
dB  
ZIF2  
Output RF impedance  
Differential  
100  
Ω
4
1234567...26

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