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TPWR8004PL

更新时间： 2024-11-02 21:14:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 497K
描述
Nch 30V<VDSS≤60V, Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 30V<VDSS≤60V

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TPWR8004PL 技术参数

生命周期：Active包装说明：DSOP-8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：340 A
最大漏源导通电阻：0.00135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPWR8004PL 数据手册

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TPWR8004PL  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
TPWR8004PL  
1. Applications  
•
•
•
High-Efficiency DC-DC Converters  
Switching Voltage Regulators  
Motor Drivers  
2. Features  
(1) High-speed switching  
(2) Small gate charge: QSW = 23 nC (typ.)  
(3) Small output charge: Qoss = 85.4 nC (typ.)  
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.65 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  
(5) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V)  
(6) Enhancement mode: Vth = 1.4 to 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
DSOP Advance  
Start of commercial production  
2014-09  
©2015 Toshiba Corporation  
2016-10-19  
Rev.3.0  
1
1234567...10

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与TPWR8004PL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPWR8503NL TOSHIBA

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 		N-ch MOSFET, 30 V, 0.00085 Ω@10V, DSOP Advanc
TPWRD4M50B05-B0 MURATA

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 		Ceramic BRF, 4.5MHz
TPWRD4M50B06-B0 MURATA

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 		Ceramic BRF, 4.5MHz
TPWRD4M50B10-B0 MURATA

获取价格

 		Ceramic BRF, 4.5MHz
TPWRD4M50B11-B0 MURATA

获取价格

 		Ceramic BRF, 4.5MHz
TPWRD5M50B02-B0 MURATA

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 		Ceramic BRF, 5.5MHz
TPWRD5M50B03-B0 MURATA

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 		Ceramic BRF, 5.5MHz
TPWRD5M50B07-B0 MURATA

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 		Ceramic BRF, 5.5MHz
TPWRD6M00B01-B0 MURATA

获取价格

 		Ceramic BRF, 6MHz
TPX205950MT-7004A1 TDK

获取价格

 		Duplexer,

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