5秒后页面跳转
TPXX1 PDF预览

TPXX1

更新时间: 2024-11-20 00:04:35
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 转换器开关升压转换器
页数 文件大小 规格书
10页 262K
描述
采用CMOS工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型直流/直流升压转换器。

TPXX1 数据手册

 浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPXX1的Datasheet PDF文件第7页 
DC/DC 升压变换芯片  
——TP301﹑271﹑331﹑501列  
TPXX1 列芯片是采用 CMOS 艺制造的静态电流极低的 VFM  
开关型直流/流升压转换器芯片由振荡器VFM 制电路LX  
开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压采样电阻、  
LX 关保护电路、CE 择电路等部分组成。TPXX1 列升压转换  
器具有低纹波效率等特点围只需接三个元件率典型值为  
100,200,300KHz 且可以根据要求调整,出电压 1.8V10V .  
TPXX1 列芯片适用于低噪声、小电流的电池供电设备:  
1电池供电设备的电源部分;  
2遥控玩具、无线鼠标、照相机、摄像机、PDA 手持电话等  
便携式设备的电源部分;  
3要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。  
命名规则  
TP XX  
1
A
C
X89  
3
引脚数量  
33PIN  
55PIN  
拓微标识  
封装形式  
89SOT89  
23SOT23  
92TO92  
输出电压  
272.7V  
303.0V  
333.3V  
505.0V  
EXT 端  
XEXT  
空白:无 EXT  
CECE~)端  
CCE  
内置开关管电流能力  
150mA  
DCE~  
空白:CE  
2100mA  
3150mA  
频率  
A50K—150K  
B150K250K  
C250K350K  
X/Y/Z:客户保留  

与TPXX1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPY65R1K5MB WUXI UNIGROUP

获取价格

Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction
TPY70R1K5MB WUXI UNIGROUP

获取价格

Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction
TPZ-1300 ETC

获取价格

Intel® Atom™ D2550/ N2600 Intelligent Heal
TPZ-1301/M4G/HDD320G ETC

获取价格

Intel® Atom™ D2550/ N2600 Intelligent Heal
TPZT112 BL Galaxy Electrical

获取价格

100V,2A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TPZT2222A BL Galaxy Electrical

获取价格

40V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TPZT2907A BL Galaxy Electrical

获取价格

-60V,-0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TPZT5551 BL Galaxy Electrical

获取价格

160V,0.6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TPZTA42 BL Galaxy Electrical

获取价格

300V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
TPZTA92 BL Galaxy Electrical

获取价格

300V,0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor