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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TQ10012000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ10013000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ10014000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ10015000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ10018000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ10019000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ1001C000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| TQ1001J | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 560MA I(D) | DIP |
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| TQ1001J-1 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 30V, 2.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| TQ1001J-2 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 0.56A I(D), 30V, 2.2ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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