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TPS53681RSBT

更新时间: 2024-11-30 11:13:31
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德州仪器 - TI 控制器
页数 文件大小 规格书
130页 3634K
描述
具有 PMBus 和 NVM 的双通道 6+2/5+3 D-CAP+™ 多相降压控制器 | RSB | 40 | -40 to 125

TPS53681RSBT 数据手册

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TPS53681  
ZHCSGE0B JUNE 2017REVISED JANUARY 2019  
具有 NVM PMBus™ TPS53681双通道(6-Phase + 2-Phase) or (5-  
Phase + 3-Phase) D-CAP+™ 降压多相控制器  
1 特性  
3 说明  
1
转换输入电压范围:4.5V 17V  
TPS53681 是一款多相降压控制器,具有两个通道、  
内置非易失性存储器 (NVM) PMBus™接口,且可  
TINexFET ™功率级完全兼容。高级控制 特性 ,例  
如具有下冲减弱 (USR) 功能的 D-CAP+™架构,可提  
供快速瞬态响应、低输出电容和高效率。该器件还提供  
全新的相位交错策略和动态切相功能,可有效提升轻负  
载条件下的效率。该器件通过可调压摆率支持快速动态  
电压转换。此外,该器件还支持 PMBus 通信接口,可  
向系统报告遥测的电压、电流、功率、温度和故障状  
况。所有可编程参数均可通过 PMBus 接口进行配置,  
而且可作为新的默认值存储在 NVM 中,以尽可能减少  
外部组件数量。  
具有可选 5mV 10mV 分辨率的 8 DAC,两个  
通道的输出范围均为 0.25V 1.52V 0.5V 至  
2.8125V。  
相位配置  
最高(6 相位 + 2 相位)或(5 相位 + 3 相位)  
最低(1 相位 + 1 相位)  
无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关  
可通过 PMBus 接口配置可编程压摆率,从而实现  
动态输出电压转换  
通过闭环频率控制进行频率选择:300kHz 至  
1MHz  
可编程内部环路补偿  
TPS53681 器件采用热增强型 40 引脚 QFN 封装,额  
定工作温度为 –40°C 125°C。  
可通过非易失性存储器 (NVM) 进行配置,从而减少  
外部组件数量  
单独的相电流校准和报告  
器件信息(1)  
可通过可编程电流阈值实现动态切相,从而优化轻  
负载和重负载下的效率  
器件型号  
TPS53681  
封装  
QFN (40)  
封装尺寸(标称值)  
5mm × 5mm  
快速添相以减弱下冲 (USR)  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
TI NexFET™功率级完全兼容,可实现高密度解  
决方案  
1. 简化应用  
精确可调电压定位  
已获专利 AutoBalance™相位均衡  
可选 16 级每相位电流限制  
TPS53681  
PWM1  
Power  
PMBus™用于电压、电流、功率、温度和故障条件  
遥测的系统接口  
Stage  
CSP1  
低静态电流  
5 mm × 5 mm 40 引脚 QFN PowerPad™封装  
PWM2  
CSP2  
PMBus  
Power  
Stage  
2 应用  
网络处理器电源(Broadcom®Cavium®)  
数据中心、园区和分支交换机  
PWM6  
CSP6  
Power  
Stage  
核心和边缘路由器  
高电流 FPGA 电源(Intel®Xilinx®)  
Copyright © 2017, Texas Instruments Incorporated  
1
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSCT1  
 
 
 
 

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