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TPS53689RSBT

更新时间: 2024-11-30 11:11:51
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德州仪器 - TI 控制器
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9页 883K
描述
具有 VR14 SVID 和 PMBus 的双通道八相降压数字多相 D-CAP+™ 控制器 | RSB | 40 | -40 to 125

TPS53689RSBT 数据手册

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TPS53689  
ZHCSOG0 – JUNE 2021  
TPS53689 具有 PMBus VR14 SVID 接口的双 channelN + M ≤ 8 相)D-CAP+™、  
压  
多相控制器  
1 特性  
3 说明  
输入电压范围:4.5V 17V  
TPS53689 一款符合 VR14 SVID 准的降压控  
制器,具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和  
PMBus接口,而且与 TI NexFET功率级完全兼  
容。D-CAP+ 架构等高级控制特性以及下冲衰减 (USR)  
和过冲衰减 (OSR) 可提供快速瞬态响应、最低输出波  
纹和出色的动态电流共享。该器件还提供全新的相位交  
错策略和动态切相功能,可有效提升轻负载条件下的效  
率。还本地支持输出电压转换率和自适应电压定位的可  
调控制。此外,该器件还支持 PMBus 通信接口,可向  
主机系统报告遥测的电压、电流、功率、温度和故障状  
况。所有可编程参数均可通过 PMBus 接口进行配置,  
而且可作为新的默认值存储在 NVM 中,以尽可能减少  
外部组件数量。  
输出电压范围:0.25V 5.5V  
支持 N+M 相位配置(N+M ≤ 8M ≤ 4)的双路输  
符合 Intel® VR14 SVID 标准且支持 PSYS  
向后兼容 VR13.HC/VR13.0 SVID  
自动 NVM 故障状态记录  
动态电流限制,可提高快速电压模式性能  
TI NexFET功率级完全兼容,可实现高密度解  
决方案  
增强型 D-CAP+ 控制可提供卓越的瞬态性能和出色  
的动态电流共享  
可通过可编程阈值实现动态切相,从而提高轻负载  
和重负载下的效率  
TPS53689 器件采用散热增强型 40 引脚 QFN 封装,  
额定工作温度为 –40°C 125°C。  
可通过非易失性存储器 (NVM) 进行配置,从而减少  
外部组件数量  
支持精确可调自适应电压定位(AVP、负载线)  
单独的每相位 IMON 校准,具有多斜率增益校准以  
提高系统精度。  
器件信息  
器件型号  
TPS53689  
封装(1)  
封装尺寸(标称值)  
QFN (40)  
5.00 mm × 5.00 mm  
快速增相可实现瞬态下冲衰减  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附  
具有可编程超时的二极管制动,可减少瞬态过冲  
获得专利的 AutoBalance电流共享  
可编程的每相位谷值电流限制 (OCL)  
PMBusv1.3.1 系统接口,用于遥测电压、电流、  
功率、温度和故障条件  
录。  
TPS53689  
PWM1  
Power  
Stage  
CSP1  
可通过 PMBus 对环路补偿进行编程  
无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关  
5.00 mm × 5.00 mm40 引脚 QFN 封装  
PWM2  
CSP2  
PMBus  
Power  
Stage  
2 应用  
数据中心和企业计算 机架式服务器  
硬件加速器  
网络接口卡 (NIC)  
ASIC 高性能客户端  
PWM8  
CSP8  
Power  
Stage  
简化版应用  
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问  
www.ti.com,其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSEL9  
 

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