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TPS536C9RSLR

更新时间： 2024-11-30 11:11:59
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德州仪器 - TI 控制器
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9页 1049K
描述
具有 VR14 SVID 和 PMBus 的双通道十二相降压数字多相 D-CAP+™ 控制器 | RSL | 48 | -40 to 125

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TPS536C9  
ZHCSOG1A – JUNE 2021 – REVISED DECEMBER 2021  
TPS536C9 具有 PMBus 和 VR14 SVID 接口的双 channel（N + M ≤ 12 相）D-CAP+™、  
降压  
多相控制器  
1 特性  
3 说明  
•
•
•
输入电压范围：4.5V 至 17V  
TPS536C9 是一款符合 VR14 SVID 标准的降压控  
制器，具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和  
PMBus™ 接口，而且与 TI NexFET™ 功率级完全兼  
容。D-CAP+ 架构等高级控制特性以及下冲衰减 (USR)  
和过冲衰减 (OSR) 可提供快速瞬态响应、最低输出波  
纹和出色的动态电流共享。该器件还提供全新的相位交  
错策略和动态切相功能，可有效提升轻负载条件下的效  
率。还本地支持输出电压转换率和自适应电压定位的可  
调控制。此外，该器件还支持 PMBus 通信接口，可向  
主机系统报告遥测的电压、电流、功率、温度和故障状  
况。所有可编程参数均可通过 PMBus 接口进行配置，  
而且可作为新的默认值存储在 NVM 中，以尽可能减少  
外部组件数量。  
输出电压范围：0.25V 至 5.5V  
支持 N+M 相位配置（N+M ≤ 12，M ≤ 6）的双路输  
出
•
•
•
•
•
符合 Intel® VR14 SVID 标准且支持 PSYS  
向后兼容 VR13.HC/VR13.0 SVID  
自动 NVM 故障状态记录  
动态电流限制，可提高快速电压模式性能  
与 TI NexFET™ 功率级完全兼容，可实现高密度解  
决方案  
•
•
•
增强型 D-CAP+ 控制可提供卓越的瞬态性能和出色  
的动态电流共享  
可通过可编程阈值实现动态切相，从而提高轻负载  
和重负载下的效率  
TPS536C9 器件采用散热增强型 48 引脚 QFN 封装，  
额定工作温度为 –40°C 至 125°C。  
可通过非易失性存储器 (NVM) 进行配置，从而减少  
外部组件数量  
•
•
支持精确可调自适应电压定位（AVP、负载线）  
单独的每相位 IMON 校准，具有多斜率增益校准以  
提高系统精度。  
器件信息  
器件型号  
TPS536C9  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
QFN (48)  
6.00 × 6.00 mm  
•
•
•
•
•
快速增相可实现瞬态下冲衰减  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
具有可编程超时的二极管制动，可减少瞬态过冲  
获得专利的 AutoBalance™ 电流共享  
可编程的每相位谷值电流限制 (OCL)  
PMBus™ v1.3.1 系统接口，用于遥测电压、电流、  
功率、温度和故障条件  
录。  
TPS536C9  
PWM1  
Power  
Stage  
CSP1  
•
•
•
可通过 PMBus 对环路补偿进行编程  
无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关  
6 mm × 6 mm 48 引脚 QFN 封装  
PWM2  
CSP2  
PMBus  
Power  
Stage  
2 应用  
•
•
•
•
数据中心和企业计算 机架式服务器  
硬件加速器  
网络接口卡 (NIC)  
ASIC 和 高性能客户端  
PWM12  
CSP12  
Power  
Stage  
Copyright © 2019, Texas Instruments Incorporated  
简化版应用  
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSEL8  
 
 
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