TPR400A

更新时间： 2024-09-20 05:52:55

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美高森美 - MICROSEMI		晶体射频双极晶体管脉冲电子航空
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描述
400 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1030-1090 MHz

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TPR400A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	55 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	875 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPR400A 数据手册

TPR400A

400 Watts, 50 Volts, Pulsed

Avionics 1030-1090 MHz

GENERAL DESCRIPTION

CASE OUTLINE

55CX, STYLE 1

The TPR400A is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is

designed for pulsed systems in the frequency band 1030-1090 MHz. The

device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. Low

thermal resistance packaging reduces the junction temperature and extends

device lifetime.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Maximum Power Dissipation @ 25^oC²

875 Watts

Maximum Voltage and Current

BVces

BVebo Emitter to Base Voltage

Ic Collector Current

Collector to Base Voltage

55 Volts

4.0 Volts

30 Amps

Maximum Temperatures

Storage Temperature

Operating Junction Temperature

- 65 to + 150^oC

+ 200^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 ^OC

SYMBOL

CHARACTERISTICS

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX UNITS

Power Out

Power Input

Power Gain

Collector Efficiency

Load Mismatch Tolerance

F = 1030 &1090 MHz

Vcc = 50 Volts

PW = 10 µsec

DF = 1%

400

9.5

Watts

Pout

5:1

VSWR

Emitter to Base Breakdown

Collector to Emitter Breakdown

DC - Current Gain

Ie = 20 mA

Ic = 25 mA

Ic = 2.5 A, Vce = 5 V

4.0

Volts

BVebo

BVces

100

^oC/W

θjc¹

Thermal Resistance

Note 1: At rated output power and pulse conditions

Rev B – November 2009

12 3 4

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