Datasheet > TPH1110ENH

TPH1110ENH

更新时间： 2024-11-20 19:32:15

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	234K
描述
Power MOSFET - Nch 150V<VDSS≤250V

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPH1110ENH 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.73
雪崩能效等级（Eas）：	33 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	7.2 A	最大漏源导通电阻：	0.114 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	S-PDSO-F5
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPH1110ENH 数据手册

TPH1110ENH

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

TPH1110ENH

1. Applications

•

High-Efficiency DC-DC Converters

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) High-speed switching

(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)

(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 96 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 200 V)

(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1, 2, 3: Source

4: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

SOP Advance

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25  unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

200

±20

(Silicon limit)

(Continuous)

(t = 1 ms)

(Note 1), (Note 2)

(Note 1)

7.2

(Note 1)

IDP

(Tc = 25 )

(t = 10 s)

(Note 3)

(Note 4)

(Note 5)

2.8

(t = 10 s)

1.6

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

EAS

IAR

Tch

Tstg

7.2

Channel temperature

Storage temperature

150

-55 to 150



Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2013-10-22

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与TPH1110ENH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPH1110FNH	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 250 V, 0.112 Ω@10V, SOP Advance,
TPH12008NH	TOSHIBA	获取价格	DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers
TPH12008NH(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,44A I(D),FP
TPH12008NH(TE12L1)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,44A I(D),FP
TPH12008NH(TE12L1,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,44A I(D),FP
TPH1205D	TOPPOWER	获取价格	2W 3KVDC Isolated Single & Dual Output DC/DC Converters
TPH1205D-3W	TOPPOWER	获取价格	3W 3KVDC Isolated Single & Dual Output DC/DC Converters
TPH1205DA	TOPPOWER	获取价格	2W 3KVDC Isolated Single & Dual Output DC/DC Converters
TPH1205DA-3W	TOPPOWER	获取价格	3W 3KVDC Isolated Single & Dual Output DC/DC Converters
TPH1205S	TOPPOWER	获取价格	2W 3KVDC Isolated Single & Dual Output DC/DC Converters

与TPH1110ENH相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPH1110ENH

TPH1110ENH 技术参数

TPH1110ENH 数据手册

与TPH1110ENH相关器件

与TPH1110ENH相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPH1110ENH

TPH1110ENH 技术参数

TPH1110ENH 数据手册

与TPH1110ENH相关器件

与TPH1110ENH相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？