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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.4 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPC8104-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII) |
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| TPC8105-H | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U−MOSII) |
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| TPC8106-H | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON P CHANNEL MOS TYPE |
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| TPC8107 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII) |
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| TPC8107 | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| TPC8107_06 | TOSHIBA |
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Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications |
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| TPC8108 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIII) |
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| TPC8109 | TOSHIBA |
获取价格 |
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE |
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| TPC8109_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications |
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| TPC8110 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) |
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