是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 0.91 |
Is Samacsys: | N | 标称带宽: | 4 kHz |
商用集成电路类型: | AUDIO AMPLIFIER | 谐波失真: | 0.5% |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
信道数量: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 标称输出功率: | 0.35 W |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.75 mm |
子类别: | Audio/Video Amplifiers | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TPA6111A2DR | TI |
类似代替 |
150-mW STEREO AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGN | TI |
类似代替 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA122D | TI |
类似代替 |
150-mW STEREO AUDIO POWER AMPLIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPA701DG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGN | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGNG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGNR | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGNRG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DR | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DRG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701EVM | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA70R170M | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPA70R190C | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 |