是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MSOP |
包装说明: | HTSSOP, TSSOP8,.19 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 0.75 |
标称带宽: | 4 kHz | 商用集成电路类型: | AUDIO AMPLIFIER |
谐波失真: | 0.5% | JESD-30 代码: | S-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 3 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 信道数量: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出功率: | 0.7 W | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | HTSSOP | 封装等效代码: | TSSOP8,.19 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.1 mm | 子类别: | Audio/Video Amplifiers |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TPA701DGNRG4 | TI |
完全替代 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DGN | TI |
类似代替 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPA701DGNRG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DR | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701DRG4 | TI |
获取价格 |
700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA701EVM | TI |
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700-mW MONO LOW-VOLTAGE AUDIO POWER AMPLIFIER | |
TPA70R170M | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPA70R190C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPA70R1K5C | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPA70R260M | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPA70R300MFD | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPA70R400MFD | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction |