是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-92 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.89 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.18 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.18 A | 最大漏源导通电阻: | 15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 12 pF |
JEDEC-95代码: | TO-92 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 1 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TP2635N3 | SUPERTEX |
类似代替 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TP2635N3-GP002 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
TP2635N3-GP003 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | |
TP2635N3-GP005 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
TP2635N3-GP013 | SUPERTEX |
获取价格 |
SMALL SIGNAL, FET | |
TP2635N3-GP014 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET | |
TP2640 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
TP2640 | MICROCHIP |
获取价格 |
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st | |
TP2640LG | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
TP2640LG-G | SUPERTEX |
获取价格 |
P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs | |
TP2640LGP030 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.21A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |