TP2640LG-G

更新时间： 2024-11-08 02:52:15

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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5页	563K
描述
P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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TP2640LG-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.31	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	0.21 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	12 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.74 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.74 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TP2640LG-G 数据手册

TP2635/TP2640

P- Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Features

General Description

► Low threshold — -2.0V max.

► High input impedance

► Low input capacitance

► Fast switching speeds

► Low on resistance

► Free from secondary breakdown

► Low input and output leakage

► Complementary N- and P-channel devices

These low threshold enhancement-mode (normally-off)

transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s

well-proven silicon-gate manufacturing process. This

combination produces devices with the power handling

capabilities of bipolar transistors and with the high input

impedance and positive temperature coefﬁcient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,

these devices are free from thermal runaway and thermally

induced secondary breakdown.

Applications

► Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

► Solid state relays

► Battery operated systems

► Photo voltaic drives

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

► Analog switches

► General purpose line drivers

► Telecom switches

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pin Conﬁgurations

Value

BV_DSS

BV_DGS

20V

Drain to source voltage

Drain to gate voltage

Gate to source voltage

S G D

Operating and storage temperature

Soldering temperature¹

-55°C to +150°C

TO-92

SO-8

(top view)

+300°C

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

Note 1. Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

Ordering Information

Package Options

Device

TP2635

TP2640

BV_DSS/BV_DGS

R_DS(ON)(max)

15Ω

V_GS(th)(max)

-2.0V

I_D(ON)(min)

-0.7A

SO-8

TO-92

TP2635N3

TP2635N3-G

TP2640N3

TP2640N3-G

-350V

-400V

TP2640LG

TP2640LG-G

15Ω

-2.0V

-0.7A

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

12 3 4 5

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TP2640LG-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVN0545A	DIODES	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
ZVP0545A	DIODES	功能相似	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

与TP2640LG-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TP2640LGP030	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.21A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
TP2640LGP031	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.21A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
TP2640N3	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640N3-G	SUPERTEX	获取价格	P- Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2640N3-GP002	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TP2640N3-GP003	SUPERTEX	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TP2640N3-GP005	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TP2640N3-GP013	SUPERTEX	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TP2640N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TP2640ND	SUPERTEX	获取价格	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

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