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TP2104K1-G PDF预览

TP2104K1-G

更新时间： 2024-09-27 19:53:27
品牌 Logo 应用领域
超科 - SUPERTEX 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 567K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, 2.90 X 1.30 MM, 1.12 MM HEIGHT, GREEN PACKAGE-3

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TP2104K1-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.88
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：0.16 A
最大漏源导通电阻：6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TP2104K1-G 数据手册

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TP2104  
P-Channel Enhancement Mode  
Vertical DMOS FETs  
Features  
General Description  
This low threshold enhancement-mode (normally-off)  
transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’s  
well-proven silicon-gate manufacturing process. This  
combination produces a device with the power handling  
capabilities of bipolar transistors and with the high input  
impedance and positive temperature coefficient inherent  
in MOS devices. Characteristic of all MOS structures,  
this device is free from thermal runaway and thermally-  
induced secondary breakdown.  
► High input impedance and high gain  
► Low power drive requirement  
► Ease of paralleling  
► Low CISS and fast switching speeds  
► Excellent thermal stability  
► Integral source-drain diode  
► Free from secondary breakdown  
Applications  
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide  
range of switching and amplifying applications where very  
low threshold voltage, high breakdown voltage, high input  
impedance, low input capacitance, and fast switching  
speeds are desired.  
► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS  
► Solid state relays  
► Analog switches  
► Power management  
► Telecom switches  
Ordering Information  
RDS(ON)  
VGS(th)  
Package Options  
BVDSS/BVDGS  
Device  
(max)  
(Ω)  
(max)  
(V)  
(V)  
TO-236AB (SOT-23)  
TO-92  
TP2104  
TP2104K1-G  
TP2104N3-G  
-40  
6.0  
-2.0  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
Pin Configuration  
DRAIN  
DRAIN  
SOURCE  
SOURCE  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
GATE  
GATE  
Value  
BVDSS  
BVDGS  
±20V  
TO-92 (N3)  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
Drain-to-source voltage  
Drain-to-gate voltage  
Product Marking  
SiTP  
2 1 0 4  
Y Y WW  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
= “Green” Packaging  
Gate-to-source voltage  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
-55°C to +150°C  
+300°C  
Package may or may not include the following marks: Si or  
TO-92 (N3)  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may  
occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous operation  
of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All voltages are  
referenced to device ground.  
W = Code for week sealed  
P1LW  
= “Green” Packaging  
*
Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
Package may or may not include the following marks: Si or  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com  
123456

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TP2104K1-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDN359BN ONSEMI

功能相似

 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，2.7A，46mΩ

与TP2104K1-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP2104K1-G-P003 MICROCHIP

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
TP2104N3 SUPERTEX

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 		P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TP2104N3-G SUPERTEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP2104N3-GP002 MICROCHIP

获取价格

 		SMALL SIGNAL, FET
TP2104N3-GP005 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
TP2104N3-GP013 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
TP2104N3-GP014 MICROCHIP

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 		SMALL SIGNAL, FET
TP2104N3P002 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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TP2104N3P004 SUPERTEX

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