5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2104N3P013 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2104N3P014 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2104N3P015 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2104N3P017 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2104N3P018 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2104ND | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| TP2105K1 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2105N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| TP2105ND | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| TP2106K1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | TO-236AA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
