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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.16 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP2106N3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | TO-92 |
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| TP210G | TAITRON |
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2.0A Glass Passivated Bridge Rectifier |
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| TP211 | ETC |
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1.5 WATT and DUAL OUTPUT DC-DC CONVERTERS |
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| TP-211 | SYNERGY |
获取价格 |
TRRANSSFFORRMEERRS |
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| TP2111 | 3PEAK |
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Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
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| TP2111-CR | 3PEAK |
获取价格 |
Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
|
| TP2111N | 3PEAK |
获取价格 |
Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
|
| TP2111N-SR | 3PEAK |
获取价格 |
Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
|
| TP2111N-TR | 3PEAK |
获取价格 |
Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
|
| TP2111N-VR | 3PEAK |
获取价格 |
Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps |
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