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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-237 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.87 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 25 pF | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-237AA | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 175 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 90 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TN3467-18 | TI |
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40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| TN3467A | FAIRCHILD |
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PNP Switching Transistor |
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| TN3467A/D26Z-J05Z | TI |
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1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| TN3467A/D26Z-J18Z | TI |
获取价格 |
1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| TN3467A/D74Z-J05Z | TI |
获取价格 |
1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| TN3467A/D74Z-J18Z | TI |
获取价格 |
1200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| TN3467AD27Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226 |
|
| TN3467AD74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226 |
|
| TN3467AJ18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226, |
|
| TN3512L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 160MA I(D) | TO-226AA |
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