TN3012L

更新时间： 2024-11-09 22:19:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 300-V (D-S) MOSFET

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TN3012L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	,	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.18 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

TN3012L 数据手册

TN3012L

Vishay Siliconix

N-Channel 300-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_(BR)DSSMin (V)

r_DS(on)Max (ꢀ )

V_GS(th)(V)

I_D(A)

12 @ V = 10 V

300

0.8 to 3

0.18

20 @ V = 4.5 V

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Low On-Resistance: 9

ꢀ

D Low Offset Voltage

D High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,

Lamps, Hammers, Displays, Transistors, etc.

D Secondary Breakdown Free: 320 V D Full-Voltage Operation

D Telephone Mute Switches, Ringer Circuits

D Power Supply, Converters

D Motor Control

D Low Power/Voltage Driven

D Low Input and Output Leakage

D Excellent Thermal Stability

D Easily Driven Without Buffer

D Low Error Voltage

D No High-Temperature

“Run-Away”

TO-226AA

(TO-92)

Device Marking

Front View

“S” TN

3012L

xxyy

“S” = Siliconix Logo

xxyy = Date Code

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

300

"20

0.18

T = 25_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

T = 100_C

0.14

Pulsed Drain Current

0.5

T = 25_C

0.8

Power Dissipation

T = 100_C

0.32

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

156

_C/W

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Notes

a. Pulse width limited by maximum junction temperature.

Document Number: 70206

S-04279—Rev. C, 16-Jul-01

www.vishay.com

11-1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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