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TN2460T

更新时间： 2024-09-18 22:42:07
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
N-Channel 240-V (D-S) MOSFET

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TN2460T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：240 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.051 A最大漏极电流 (ID)：0.051 A
最大漏源导通电阻：60 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：10 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TN2460T 数据手册

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TN2460L/TN2460T  
Vishay Siliconix  
N-Channel 240-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V) ID Min (mA)  
TN2460L  
240  
TN2460T  
60 @ V = 10 V  
0.5 to 1.8  
0.5 to 1.8  
75  
51  
GS  
60 @ V = 10 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Low On-Resistance: 40 W  
D Low Offset Voltage  
D High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,  
Lamps, Hammers, Displays,  
Transistors, etc.  
D Telephone Mute Switches, Ringer Circuits  
D Power Supply, Converters  
D Motor Control  
D Secondary Breakdown Free: 260 V D Full-Voltage Operation  
D Low Power/Voltage Driven  
D Low Input and Output Leakage  
D Excellent Thermal Stability  
D Easily Driven Without Buffer  
D Low Error Voltage  
D No High-Temperature  
“Run-Away”  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-236  
(SOT-23)  
1
2
3
S
G
D
Device Marking  
Front View  
Marking Code: T2wll  
G
S
1
2
“S” TN  
2406L  
xxyy  
T2 = Part Number Code for TN2460T  
w = Week Code  
3
D
ll = Lot Traceability  
“S” = Siliconix Logo  
xxyy = Date Code  
Top View  
Top View  
TN2460L  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
TN2460L  
TN2460T  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
240  
"20  
75  
240  
"20  
51  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
A
A
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
J
D
T = 100_C  
48  
32  
mA  
W
a
Pulsed Drain Current  
I
800  
0.8  
400  
0.36  
0.14  
350  
DM  
T = 25_C  
A
Power Dissipation  
P
D
T = 100_C  
0.32  
156  
A
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
Document Number: 70205  
S-04279—Rev. D , 16-Jul-01  
www.vishay.com  
11-1  
1234

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