Datasheet > TN2435N8-G

TN2435N8-G

更新时间： 2024-09-19 15:54:51

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	452K
描述
0.365A, 350V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-243AA

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TN2435N8-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	5.26	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	350 V	最大漏极电流 (ID)：	0.365 A
最大漏源导通电阻：	6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-243AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TN2435N8-G 数据手册

TN2435

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FET

Features

General Description

► Low threshold

This low threshold, enhancement-mode (normally-off)

transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s

well-proven, silicon-gate manufacturing process. This

combination produces a device with the power handling

capabilities of bipolar transistors and the high input

impedance and positive temperature coefﬁcient inherent

in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this

device is free from thermal runaway and thermally-induced

secondary breakdown.

► High input impedance

► Low input capacitance

► Fast switching speeds

► Low on-resistance

► Free from secondary breakdown

► Low input and output leakage

Applications

► Logic level interfaces - ideal for TTL and CMOS

► Solid state relays

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a

wide range of switching and amplifying applications where

very low threshold voltage, high breakdown voltage, high

input impedance, low input capacitance, and fast switching

speeds are desired.

► Battery operated systems

► Photo voltaic drives

► Analog switches

► General purpose line drivers

► Telecom switches

Ordering Information

R_DS(ON)

I_D(ON)

Package Option

Device

BV_DSS/BV_DGS

(max)

(Ω)

(min)

(A)

(V)

TO-243AA (SOT-89)

TN2435

TN2435N8-G

350

6.0

1.0

-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)

Pin Conﬁguration

DRAIN

SOURCE

DRAIN

Absolute Maximum Ratings

Parameter

GATE

Value

BV_DSS

BV_DGS

±20V

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Drain-to-source voltage

Drain-to-gate voltage

Product Marking

Gate-to-source voltage

W = Code for week sealed

= “Green” Packaging

Operating and storage temperature -55^OC to +150^OC

Soldering temperature*

300^OC

Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device

may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous

operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All

voltages are referenced to device ground.

TN4SW

Package may or may not include the following marks: Si or

TO-243AA (SOT-89) (N8)

Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.

● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

TN2435N8-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TN2435N8-G	SUPERTEX	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.365A I(D), 350V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与TN2435N8-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN2435ND	SUPERTEX	获取价格	暂无描述
TN2435NW	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN2460L	VISHAY	获取价格	N-Channel 240-V (D-S) MOSFET
TN2460L18	VISHAY	获取价格	76mA, 240V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA
TN2460L-18	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.075A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
TN2460L18-1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
TN2460L18-2	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
TN2460L-1TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
TN2460L-1TR1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
TN2460L-2TA	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.076A I(D), 240V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与TN2435N8-G相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

29
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

28
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

100
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

94

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TN2435N8-G

TN2435N8-G 技术参数

TN2435N8-G 数据手册

TN2435N8-G 替代型号

与TN2435N8-G相关器件

与TN2435N8-G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TN2435N8-G

TN2435N8-G 技术参数

TN2435N8-G 数据手册

TN2435N8-G 替代型号

与TN2435N8-G相关器件

与TN2435N8-G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？