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TMS626812B-8DGE

更新时间： 2024-10-28 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 606K
描述
2MX8 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44

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TMS626812B-8DGE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.91访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：125 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

TMS626812B-8DGE 数据手册

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TMS626812B  
1 048 576 BY 8-BIT BY 2-BANK  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES  
SMOS693A – OCTOBER 1997 – REVISED APRIL 1998  
TMS626812B  
DGE PACKAGE  
( TOP VIEW )  
Organization  
1048576 by 8 Bits by 2 Banks  
3.3-V Power Supply (±10% Tolerance)  
Two Banks for On-Chip Interleaving  
(Gapless Accesses)  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
V
V
SS  
DQ7  
CC  
2
DQ0  
High Bandwidth – Up to 125-MHz Data  
Rates  
3
V
V
SSQ  
DQ6  
SSQ  
DQ1  
4
CAS Latency (CL) Programmable to  
2 or 3 Cycles From Column-Address Entry  
5
V
V
CCQ  
DQ5  
CCQ  
DQ2  
6
Burst Sequence Programmable to Serial or  
Interleave  
7
V
V
SSQ  
DQ4  
SSQ  
DQ3  
8
Burst Length Programmable to 1, 2, 4, or 8  
9
V
V
CCQ  
CCQ  
NC  
Chip Select and Clock Enable for Enhanced  
System Interfacing  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
NC  
NC  
DQM  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
NC  
W
Cycle-by-Cycle DQ Bus Mask Capability  
Auto-Refresh and Self-Refresh Capabilities  
4K Refresh (Total for Both Banks)  
CAS  
RAS  
CS  
High-Speed, Low-Noise, Low-Voltage TTL  
(LVTTL) Interface  
A11  
A10  
A0  
A8  
Power-Down Mode  
A7  
Compatible With JEDEC Standards  
Pipeline Architecture  
A1  
A6  
A2  
A5  
Temperature Ranges  
Operating, 0°C to 70°C  
Storage, – 55°C to 150°C  
A3  
A4  
V
V
SS  
CC  
Intel PC100 Compliant (-8A, -8, and  
-10 Devices)  
PIN NOMENCLATURE  
A0–A10 Address Inputs  
Performance Ranges:  
A0–A10 Row Addresses  
SYNCHRONOUS  
CLOCK  
CYCLE TIME  
ACCESS TIME  
(CLOCK TO  
OUTPUT)  
REFRESH  
TIME  
INTERVAL  
A0–A8 Column Addresses (for TMS626812B)  
A10 Automatic-Precharge Select  
Bank Select  
Column-Address Strobe  
Clock Enable  
A11  
CAS  
CKE  
CLK  
CS  
t
t
t
t
AC2  
(CL=2)  
CK3  
†
CK2  
AC3  
(CL=2)  
(CL=3)  
(CL =3)  
’626812B-8  
’626812B-8A  
’626812B-10  
8 ns  
10 ns  
15 ns  
15 ns  
6 ns  
6 ns  
6 ns  
7 ns  
64 ms  
64 ms  
64 ms  
System Clock  
Chip Select  
8 ns  
10 ns  
7.5 ns  
7.5 ns  
DQ[0:7] SDRAM Data Input/Output (TMS626812B)  
DQM  
NC  
RAS  
Data-Input/Data-Output Mask Enable  
No External Connect  
Row-Address Strobe  
Power Supply (3.3-V Typical)  
Power Supply for Output Drivers  
(3.3-V Typical)  
†
CL = CAS latency  
V
V
CC  
CCQ  
V
V
W
Ground  
Ground for Output Drivers  
Write Enable  
SS  
SSQ  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...40

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 		4MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 7.5ns, PDSO54

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