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TMS4416-12NL

更新时间: 2024-09-23 17:29:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
16KX4 PAGE MODE DRAM, 120ns, PDIP18

TMS4416-12NL 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.78
Is Samacsys:N访问模式:PAGE
最长访问时间:120 ns其他特性:RAS ONLY REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDIP-T18
长度:22.48 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:5.08 mm
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TMS4416-12NL 数据手册

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