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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.78 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY REFRESH | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | 长度： | 19.305 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | +-5,12 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 128 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS4116-25 | TI |
获取价格 |
16,384-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY |
|
| TMS4116-25JDL | TI |
获取价格 |
IC,DRAM,PAGE MODE,16KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| TMS4116-25JL | TI |
获取价格 |
IC,DRAM,PAGE MODE,16KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| TMS4161 | TI |
获取价格 |
GRAPHICS SYSTEM PROCESSOR |
|
| TMS416100 | TI |
获取价格 |
16777216-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
|
| TMS416100-60DGA | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS416100-60DJ | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS416100-60DZ | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS416100-70DGA | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS416100-70DJ | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
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