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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | RAS ONLY REFRESH; 256 X 1 SAM PORT |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | 长度： | 24.325 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | VIDEO DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.095 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS4161-20FML | TI |
获取价格 |
64KX1 VIDEO DRAM, 200ns, PQCC18 |
|
| TMS4161-20NL | TI |
获取价格 |
64KX1 VIDEO DRAM, 200ns, PDIP20 |
|
| TMS416160 | TI |
获取价格 |
1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS |
|
| TMS416160-60DC | TI |
获取价格 |
1MX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50/44 |
|
| TMS416160-60DZ | TI |
获取价格 |
1MX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
|
| TMS416160-70DC | TI |
获取价格 |
1MX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50/44 |
|
| TMS416160-70DZ | TI |
获取价格 |
1MX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42 |
|
| TMS416160-80DGE | TI |
获取价格 |
1MX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP-50/44 |
|
| TMS416160A-50DGE | TI |
获取价格 |
IC IC,DRAM,FAST PAGE,1MX16,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC, Dynamic RAM |
|
| TMS416160A60DGE | TI |
获取价格 |
TMS416160A60DGE |
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