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TMS416160-70DZ PDF预览

TMS416160-70DZ

更新时间： 2024-11-15 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 409K
描述
1MX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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TMS416160-70DZ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
长度：27.305 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ42,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

TMS416160-70DZ 数据手册

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TMS416160, TMS416160P, TMS418160, TMS418160P  
TMS426160, TMS426160P, TMS428160, TMS428160P  
1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS  
SMKS160C – MAY 1995–REVISED NOVEMBER 1995  
DGE PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DZ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 1048576 × 16  
Single Power Supply (5 V or 3.3 V)  
Performance Ranges:  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
V
V
V
V
SS  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
CC  
SS  
CC  
ACCESS ACCESS ACCESS READ OR  
2
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
2
TIME  
TIME  
TIME  
WRITE  
CYCLE  
MIN  
110 ns  
130 ns  
150 ns  
t
t
t
3
3
RAC  
CAC  
AA  
MAX  
’4xx160/P-60 60 ns  
’4xx160/P-70 70 ns  
’4xx160/P-80 80 ns  
MAX  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
MAX  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
4
4
5
5
6
V
V
V
V
6
CC  
SS  
CC  
SS  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
7
Enhanced Page-Mode Operation With  
CAS-Before-RAS (CBR) Refresh  
Long Refresh Period and Self-Refresh  
Option (TMS4xx160P)  
3-State Unlatched Output  
Low Power Dissipation  
High-Reliability Plastic 42-Lead (DZ Suffix)  
400-Mil-Wide Surface-Mount (SOJ) Package  
and 44/50-Lead (DGE Suffix) Surface-Mount  
Thin Small-Outline Package (TSOP)  
8
8
9
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
10  
11  
NC  
W
RAS  
†
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
NC  
NC  
W
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
A9  
A11  
A10  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
†
A0  
A1  
A2  
A3  
Operating Free-Air Temperature Range  
RAS  
0°C to 70°C  
†
A11  
A10  
Fabricated Using the Texas Instruments  
Enhanced Performance Implanted CMOS  
(EPIC ) Technology  
†
A8  
A7  
A0  
A1  
A2  
A3  
V
V
SS  
CC  
A6  
A5  
A4  
V
AVAILABLE OPTIONS  
SELF  
POWER  
SUPPLY  
REFRESH  
CYCLES  
REFRESH,  
BATTERY  
BACKUP  
V
DEVICE  
CC  
SS  
†
A10 and A11 are NC for TMS4x8160 and TMS4x8160P.  
TMS416160  
TMS416160P  
TMS418160  
TMS418160P  
TMS426160  
TMS426160P  
TMS428160  
TMS428160P  
5 V  
5 V  
5 V  
—
Yes  
—
Yes  
—
Yes  
—
Yes  
4096 in 64 ms  
4096 in 128 ms  
1024 in 16 ms  
1024 in 128 ms  
4096 in 64 ms  
4096 in 128 ms  
1024 in 16 ms  
1024 in 128 ms  
PIN NOMENCLATURE  
5 V  
A0–A11  
DQ0–DQ15  
LCAS  
UCAS  
NC  
Address Inputs  
3.3 V  
3.3 V  
3.3 V  
3.3 V  
Data In/Data Out  
Lower Column-Address Strobe  
Upper Column-Address Strobe  
No Internal Connection  
Output Enable  
OE  
RAS  
description  
Row-Address Strobe  
‡
V
V
W
5-V or 3.3-V Supply  
Ground  
CC  
SS  
The TMS4xx160 series is a set of high-speed,  
16777216-bit dynamic random-access memo-  
ries (DRAMs) organized as 1048576 words of 16  
bits each. The TMS4xx160P series is a similar  
set of high-speed, low-power, self-refresh,  
Write Enable  
‡
See Available Options Table.  
16777216-bit DRAMs organized as 1048576 words of 16 bits each. Both sets employ state-of-the-art  
enhanced performance implanted CMOS (EPIC ) technology for high performance, reliability, and low power  
at low cost.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
EPIC is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...28

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与TMS416160-70DZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS416160-80DGE TI

获取价格

 		1MX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP-50/44
TMS416160A-50DGE TI

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 		IC IC,DRAM,FAST PAGE,1MX16,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC, Dynamic RAM
TMS416160A60DGE TI

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 		TMS416160A60DGE
TMS416160A-60DZ TI

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 		IC,DRAM,FAST PAGE,1MX16,CMOS,SOJ,42PIN,PLASTIC
TMS416160A-70DGC TI

获取价格

 		IC,DRAM,FAST PAGE,1MX16,CMOS,TSOP,44PIN,PLASTIC
TMS416160A70DGE TI

获取价格

 		TMS416160A70DGE
TMS416160A-70DZ TI

获取价格

 		IC,DRAM,FAST PAGE,1MX16,CMOS,SOJ,42PIN,PLASTIC
TMS416160P TI

获取价格

 		1048576-WORD BY 16-BIT HIGH-SPEED DRAMS
TMS416160P-60DC TI

获取价格

 		1MX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP-50/44
TMS416160P-60DGE TI

获取价格

 		1MX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP-50/44

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